三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，面向 AI 负载
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三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，面向 AI 负载
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AI 综述
三星电子正在开发面向 AI 负载的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，与此前公布的 zNAND-O 共同覆盖不同应用场景。 其中，zNAND-T 主打吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die 以优化读写带宽；zNAND-I 聚焦随机性能 IOPS，适配 KV Cache 卸载等少量数据频繁读写场景。
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最新进展10月12日 13:54
消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发面向 AI 负载的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，与此前公布的 zNAND-O 共同覆盖不同应用场景。zNAND-T 主打吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die 以优化读写带宽；zNAND-I 则聚焦随机性能 IOPS，适配 KV Cache 卸载等少量数据频繁读写场景。
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