消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发面向 AI 负载的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，与此前公布的 zNAND-O 共同覆盖不同应用场景。zNAND-T 主打吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die 以优化读写带宽；zNAND-I 则聚焦随机性能 IOPS，适配 KV Cache 卸载等少量数据频繁读写场景。