瑞萨推出首款100V低压氮化镓功率半导体
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瑞萨推出首款100V低压氮化镓功率半导体
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AI 综述
瑞萨电子推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体——100V 增强型 GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用。 瑞萨称，该系列相比同类 GaN 器件，硬开关 FOM 最高降低 35%、软开关 FOM 最高降低 63%；相比硅基设计效率提升 1% 至 3%，开关损耗降低 40% 至 70%，并消除 Qrr 损耗。产品提供多种标准 MOSFET 兼容封装，客户可从硅 MOSFET 布局迁移到 GaN 方案，无需大幅重新设计 PCB。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域报道时间线
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10月6日
- IT之家瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
瑞萨电子推出公司首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等领域。相比同类 GaN 器件，其硬开关 FOM 最高降低 35%、软开关 FOM 最高降低 63%；相比硅基设计效率提升 1% 至 3%，开关损耗降低 40% 至 70%，并消除 Qrr 损耗。
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